AF115N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF115N  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO44

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF115N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF115N даташит

 9.1. Size:225K  panasonic
 draf115e.pdf pdf_icon

AF115N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF115E DRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Packa

Другие транзисторы: AF109R, AF110, AF111, AF112, AF113, AF114, AF114N, AF115, 2SA1943, AF116, AF116N, AF117, AF117N, AF118, AF121, AF121-07, AF121S