Справочник транзисторов. AF115N

 

Биполярный транзистор AF115N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AF115N
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO44
 

 Аналог (замена) для AF115N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF115N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:225K  panasonic
 draf115e.pdf pdf_icon

AF115N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF115ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF115EDRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePacka

Другие транзисторы... AF109R , AF110 , AF111 , AF112 , AF113 , AF114 , AF114N , AF115 , BC337 , AF116 , AF116N , AF117 , AF117N , AF118 , AF121 , AF121-07 , AF121S .

 

 
Back to Top

 


 
.