AF133 Todos los transistores

 

AF133 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF133
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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AF133 Datasheet (PDF)

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AF133

AF1333PP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m. ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

 0.2. Size:263K  anachip
 af1332n.pdf pdf_icon

AF133

AF1332NN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m. ID = 600mA Pin Assignments

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