Справочник транзисторов. AF133

 

Биполярный транзистор AF133 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AF133
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для AF133

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF133 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:276K  anachip
 af1333p.pdf pdf_icon

AF133

AF1333PP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m. ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

 0.2. Size:263K  anachip
 af1332n.pdf pdf_icon

AF133

AF1332NN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m. ID = 600mA Pin Assignments

Другие транзисторы... AF128 , AF128BK , AF128W , AF128Y , AF129 , AF130 , AF131 , AF132 , 2N2222A , AF134 , AF135 , AF136 , AF137 , AF138 , AF139 , AF142 , AF143 .

 

 
Back to Top

 


 
.