AF133 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF133  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF133

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF133 даташит

 0.1. Size:276K  anachip
 af1333p.pdf pdf_icon

AF133

AF1333P P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m . ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

 0.2. Size:263K  anachip
 af1332n.pdf pdf_icon

AF133

AF1332N N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m . ID = 600mA Pin Assignments

Другие транзисторы: AF128, AF128BK, AF128W, AF128Y, AF129, AF130, AF131, AF132, 2SC1815, AF134, AF135, AF136, AF137, AF138, AF139, AF142, AF143