AM0912-080 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM0912-080  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 225 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: SO42

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AM0912-080 datasheet

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AM0912-080

AM0912-080 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .P 90 W MIN. WITH 13 dB GAIN OUT = hermetically sealed .BANDWIDTH 225 MHz ORDER CODE BRANDING AM0912-080 0912-80 PIN CONNECTION DESCRIPTION Th

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AM0912-080

AM0912-300 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .15 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .500 2LFL (S038) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 300 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN = OUT ORDER CODE .BANDWIDTH 255 MHz BRANDING AM0912-300 0912-300 DESCR

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AM0912-080

AM0912-150 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P = 150 W MIN. WITH 7.5 dB GAIN OUT .400 x .500 2LFL (S038) .BANDWIDTH = 255MHz hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM0912-150 0912-150 PIN CONNECTION DESCRIPTION

Otros transistores... AL103-6, AL112, AL113, ALZ10, AM0608-020, AM0608-070, AM0608-200, AM0608-450, 13009, AM0912-150, AM0912-300, AM1011-055, AM1011-070, AM1011-075, AM1011-300, AM1011-400, AM1011-500