AM2729-110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM2729-110  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2900 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: S138

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AM2729-110 datasheet

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AM2729-110

AM2729-125 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 125 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN OUT = .400 x .500 2LFL (S038) hermetically sealed BRANDING ORDER CODE 2729-125 AM2729-125 DESCRIPTION The AM2729-125 device is a hig

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AM2729-110

AM2729-110 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .3 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2L SFL (S138) hermetically sealed .P 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM2729-110 2729-110 DESCRIPTION PIN CONNE

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