AM2729-110 Todos los transistores

 

AM2729-110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM2729-110
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2900 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: S138
 

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AM2729-110 Datasheet (PDF)

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AM2729-110

AM2729-125RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 125 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (S038)hermetically sealedBRANDINGORDER CODE2729-125AM2729-125DESCRIPTIONThe AM2729-125 device is a hig

 8.1. Size:61K  st
 am2729.pdf pdf_icon

AM2729-110

AM2729-110RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2L SFL (S138)hermetically sealed.P 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM2729-110 2729-110DESCRIPTIONPIN CONNE

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History: KSC2333Y

 

 
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