Биполярный транзистор AM2729-110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: AM2729-110
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: S138
Аналоги (замена) для AM2729-110
AM2729-110 Datasheet (PDF)
am2729-125.pdf
AM2729-125RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 125 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (S038)hermetically sealedBRANDINGORDER CODE2729-125AM2729-125DESCRIPTIONThe AM2729-125 device is a hig
am2729.pdf
AM2729-110RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2L SFL (S138)hermetically sealed.P 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM2729-110 2729-110DESCRIPTIONPIN CONNE
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: ESM3004
