AM2729-125 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM2729-125
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SO38
- Selección de transistores por parámetros
AM2729-125 Datasheet (PDF)
am2729-125.pdf

AM2729-125RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 125 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (S038)hermetically sealedBRANDINGORDER CODE2729-125AM2729-125DESCRIPTIONThe AM2729-125 device is a hig
am2729.pdf

AM2729-110RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2L SFL (S138)hermetically sealed.P 105 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM2729-110 2729-110DESCRIPTIONPIN CONNE
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: STD123S | TF71 | 2N6208 | CST1741 | HN4B06J | 2SC130 | MJ3001
History: STD123S | TF71 | 2N6208 | CST1741 | HN4B06J | 2SC130 | MJ3001



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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