AM2931-110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM2931-110
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: S138
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar AM2931-110
AM2931-110 Datasheet (PDF)
am2931.pdf
AM2931-110 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .3 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .500 2L SFL (S138) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 105 W MIN. WITH 6.2 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM2931-110 2931-110 DESCRIPTION PIN CONN
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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