AM80610-018 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM80610-018
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: SO42
Búsqueda de reemplazo de AM80610-018
AM80610-018 Datasheet (PDF)
am80610-03.pdf

AM80610-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSUHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.INPUT/OUTPUT MATCHING.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAINOUT =.400 x .400 2NLFL (S042)hermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM80610-03080610-30DESCRIPTIONPIN CONNECTIONThe AM80610-030 is a high power, commonbase NPN
Otros transistores... AM1416-100 , AM1416-200 , AM1517-012 , AM1517-025 , AM2729-110 , AM2729-125 , AM2931-110 , AM2931-125 , BD135 , AM80610-030 , AM80814-005 , AM80814-025 , AM80912-005 , AM80912-015 , AM80912-030 , AM80912-085 , AM81214-006 .
History: CV7373 | D62T2575 | MP8233 | BSV26K
History: CV7373 | D62T2575 | MP8233 | BSV26K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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