AM80814-025 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM80814-025  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1400 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: SO38

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AM80814-025 datasheet

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AM80814-025

AM80814-025 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 25 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN OUT = .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80814-025 80814-25 PIN CONNECTION DESCRIPTION

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AM80814-025

AM80814-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .P 5.0 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM80814-005 80814-5 PIN CONNECTION DESCRI

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