AM80912-005 Todos los transistores

 

AM80912-005 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM80912-005
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 48 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 48 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SO64
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM80912-005 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:66K  st
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AM80912-005

AM80912-085RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80912-085 80912-85PIN CONNECTIONDESCRIPTION

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AM80912-005

AM80912-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSSPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN=OUTBRANDINGORDER CODE80912-30AM80912-030DE

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AM80912-005

AM80912-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAINORDER CODE BRANDINGAM80912-005 80912-5PIN CONNECTIONDESCRIPTION

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History: 2N1752 | C25-28 | FN4L4Z | JE9092B | A1317 | AC185VII | GS2017

 

 
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