AM80912-005 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM80912-005
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
Tensión colector-base (Vcb): 48 V
Tensión colector-emisor (Vce): 48 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SO64
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar AM80912-005
AM80912-005 Datasheet (PDF)
am80912-085.pdf
AM80912-085RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80912-085 80912-85PIN CONNECTIONDESCRIPTION
am80912030.pdf
AM80912-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSSPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN=OUTBRANDINGORDER CODE80912-30AM80912-030DE
am8091205.pdf
AM80912-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAINORDER CODE BRANDINGAM80912-005 80912-5PIN CONNECTIONDESCRIPTION
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N2899
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Liste
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