Биполярный транзистор AM80912-005 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: AM80912-005
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 48 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 48 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SO64
- подбор биполярного транзистора по параметрам
AM80912-005 Datasheet (PDF)
am80912-085.pdf

AM80912-085RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80912-085 80912-85PIN CONNECTIONDESCRIPTION
am80912030.pdf

AM80912-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSSPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN=OUTBRANDINGORDER CODE80912-30AM80912-030DE
am8091205.pdf

AM80912-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAINORDER CODE BRANDINGAM80912-005 80912-5PIN CONNECTIONDESCRIPTION
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: ERS425 | 2N3290 | 2N5528 | 2SA677 | ST8050 | 2SD2561 | BCX5110
History: ERS425 | 2N3290 | 2N5528 | 2SA677 | ST8050 | 2SD2561 | BCX5110



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b