AM81214-015 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM81214-015  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W

Tensión colector-base (Vcb): 48 V

Tensión colector-emisor (Vce): 48 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1400 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SO64

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AM81214-015 datasheet

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AM81214-015

AM81214-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGEDIZED VSWR 1 .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .P = 26 W MIN. WITH 7.2 dB GAIN OUT ORDER CODE BRANDING AM81214-030 81214-30 DESCRIPTION PIN CO

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AM81214-015

AM81214-060 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGEDIZED VSWR 1 .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) hermetically sealed .POUT 55 W MIN. WITH 6.6 dB GAIN = ORDER CODE BRANDING AM81214-060 81214-60 DESCRIPTION PIN C

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AM81214-015

AM81214-006 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .310 x .310 2LFL (S064) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .POUT 5.5 W MIN. WITH 10 dB GAIN = ORDER CODE BRANDING AM81214-6 81214-6 PIN CONNECTION DESCRIPTIO

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