AM81719-030 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM81719-030  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 28 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1800 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: M147

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AM81719-030 datasheet

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AM81719-030

AM81719-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 7 dB GAIN OUT = .400 X .400 2 LFL (M228) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-040 81719-40 PIN CONNECTION DESCRIPTION The AM81719-040 is a hig

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AM81719-030

AM81719-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 SQ 2LFL (M147) .P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN = OUT hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-030 81719-030 PIN CONNECTION DESCRIPTION Th

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AM81719-030

AM81720-012 RF & MICROWAVE TRANSISTORS COMMUNICATIONS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGIZED VSWR 1 .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed .P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM81720-012 81720-12 PIN CONNECTION DE

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