AM81719-030 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AM81719-030 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 28 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: M147
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AM81719-030
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AM81719-030 даташит
am81719-040.pdf
AM81719-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 7 dB GAIN OUT = .400 X .400 2 LFL (M228) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-040 81719-40 PIN CONNECTION DESCRIPTION The AM81719-040 is a hig
am81719.pdf
AM81719-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 SQ 2LFL (M147) .P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN = OUT hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-030 81719-030 PIN CONNECTION DESCRIPTION Th
am81720-0.pdf
AM81720-012 RF & MICROWAVE TRANSISTORS COMMUNICATIONS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGIZED VSWR 1 .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed .P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM81720-012 81720-12 PIN CONNECTION DE
Другие транзисторы: AM80912-015, AM80912-030, AM80912-085, AM81214-006, AM81214-015, AM81214-030, AM81214-060, AM81416-020, 2SC945, AM81719-040, AM81720-012, AM82223-010, AM82325-040, AM82325-050, AM82731-003, AM82731-006, AM82731-012
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: ME5308 | 3N34 | PBR951 | ME6002 | U2TD410
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent



