AM81719-040 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM81719-040
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 42 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1800 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: M228
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar AM81719-040
AM81719-040 Datasheet (PDF)
am81719-040.pdf
AM81719-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 7 dB GAIN OUT = .400 X .400 2 LFL (M228) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-040 81719-40 PIN CONNECTION DESCRIPTION The AM81719-040 is a hig
am81719.pdf
AM81719-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 SQ 2LFL (M147) .P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN = OUT hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM81719-030 81719-030 PIN CONNECTION DESCRIPTION Th
am81720-0.pdf
AM81720-012 RF & MICROWAVE TRANSISTORS COMMUNICATIONS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGIZED VSWR 1 .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed .P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM81720-012 81720-12 PIN CONNECTION DE
Otros transistores... AM80912-030 , AM80912-085 , AM81214-006 , AM81214-015 , AM81214-030 , AM81214-060 , AM81416-020 , AM81719-030 , A1013 , AM81720-012 , AM82223-010 , AM82325-040 , AM82325-050 , AM82731-003 , AM82731-006 , AM82731-012 , AM82731-025 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet




