AM82731-006 Todos los transistores

 

AM82731-006 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM82731-006
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: SO42
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM82731-006 Datasheet (PDF)

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AM82731-006

AM82731-003RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.10:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 3.0 W. MIN. WITH 5.7 dB GAIN=hermetically sealed.BANDWIDTH 400 MHz=ORDER CODE BRANDINGAM 82731

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AM82731-006

AM82731-050RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGEDIZED VSWR 3:1 @ 1 dB OVER-DRIVE.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 50 W MIN. WITH 6 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM82731-050 82731-50DESC

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AM82731-006

AM82731-025RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.LOW PARASITIC, DOUBLE LEVEL MET-AL DESIGN.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR @ 1 dB OVERDRIVE.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING.400 x .400 2LFL (S036).OVERLAY GEOMETRYhermetically sealed.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEORDER CODE BRANDING.P 25 W MIN. WITH

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History: 2SB598G | BLW46 | 2SC2485 | 2SD1621S | 2SC1654 | BSX75 | LMUN5137DW1T1G

 

 
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