BC169C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BC169C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 85 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 380

Encapsulados: TO92

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BC169C datasheet

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BC169C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167B BC168A, BC168B, BC168C BC169B, BC169C TO-92 Plastic Package AF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITS VCEO Collec

 9.2. Size:228K  microelectronics
 bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf pdf_icon

BC169C

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