BC169C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC169C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 380

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC169C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC169C даташит

 9.1. Size:151K  cdil
 bc167ab bc168abc bc169.pdf pdf_icon

BC169C

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC167A, BC167B BC168A, BC168B, BC168C BC169B, BC169C TO-92 Plastic Package AF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BC167 BC168 BC169 UNITS VCEO Collec

 9.2. Size:228K  microelectronics
 bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf pdf_icon

BC169C

Другие транзисторы: BC167A, BC167B, BC168, BC168A, BC168B, BC168C, BC169, BC169B, B647, BC170, BC170A, BC170B, BC170C, BC171, BC171A, BC171B, BC171C