2N269 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N269  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO1

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2N269 datasheet

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 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

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2N269

2N2696CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 25V A = (0.04 0.004

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