2N269 Todos los transistores

 

2N269 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N269
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2N269 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

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 0.1. Size:230K  no
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 0.2. Size:11K  semelab
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2N269

2N2696CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 25V A =(0.04 0.004

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