2N27 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N27
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 16 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO22

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N27

2N27 Datasheet (PDF)

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RT2N27M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N27M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

0.7. Size:61K microelectronics
mps2711 2n2711 mps2712 2n2712 mps2716 2n2716 mps2923 2n2923 mps2924 2n2924 mps2925 2n2925 mps3390 2n3390 mps3391 2n3391 mps3392 2n3392 mps6573 mps6574.pdf