2N27 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N27 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N27
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO22

Аналоги (замена) для 2N27

2N27 Datasheet (PDF)

0.1. Size:584K rca
2n270.pdf

0.2. Size:415K rca
2n2708.pdf

0.3. Size:389K rca
2n277.pdf

0.4. Size:560K rca
2n274.pdf

0.5. Size:390K rca
2n278.pdf

0.6. Size:164K isahaya
rt2n27m.pdf

RT2N27M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N27M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

0.7. Size:61K microelectronics
mps2711 2n2711 mps2712 2n2712 mps2716 2n2716 mps2923 2n2923 mps2924 2n2924 mps2925 2n2925 mps3390 2n3390 mps3391 2n3391 mps3392 2n3392 mps6573 mps6574.pdf