BC875 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BC875
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
BC875 Datasheet (PDF)
bc875 bc879 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC875; BC879NPN Darlington transistors1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistors BC875; BC879FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000)PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A)1 base Low voltage (max. 80 V)
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SB341H | DTC143ZET1G | DTA114ES3 | 2N697A | BFQ268 | 2N2563 | D33J21
History: 2SB341H | DTC143ZET1G | DTA114ES3 | 2N697A | BFQ268 | 2N2563 | D33J21



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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