BC875 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BC875
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO92
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BC875 datasheet
bc875 bc879 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC875; BC879 NPN Darlington transistors 1999 May 28 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BC875; BC879 FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000) PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A) 1 base Low voltage (max. 80 V)
Otros transistores... BC860BWT1 , BC860C , BC860CLT1 , BC860CR , BC860CW , BC860CWT1 , BC868 , BC869 , 2SC5198 , BC876 , BC877 , BC878 , BC879 , BC880 , BCAP07 , BCAP07A , BCAP07B .
History: BC876 | BDY83B | 2N5661
History: BC876 | BDY83B | 2N5661
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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