BC875 - описание и поиск аналогов

 

BC875. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC875

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC875

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC875 даташит

 ..1. Size:50K  philips
 bc875 bc879 4.pdf pdf_icon

BC875

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC875; BC879 NPN Darlington transistors 1999 May 28 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BC875; BC879 FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000) PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A) 1 base Low voltage (max. 80 V)

Другие транзисторы: BC860BWT1, BC860C, BC860CLT1, BC860CR, BC860CW, BC860CWT1, BC868, BC869, 2SC5198, BC876, BC877, BC878, BC879, BC880, BCAP07, BCAP07A, BCAP07B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.