BCR08PN Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCR08PN

Código: WFs

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 170 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SO363

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BCR08PN datasheet

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BCR08PN

BCR 08PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 08PN WFs Q62702-C2486 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maxim

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BCR08PN

BCR08PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=2.2 k , R2=47 k ) C1 B2 E2 6 5 4 Pb-free (RoHS compliant) package R2 Qualified according AEC Q101 R1 TR2 TR1 R1 R2 1

Otros transistores... BCP628B, BCP628C, BCP68, BCP68T1, BCP68T3, BCP69, BCP69T1, BCP69T3, TIP120, BCR108, BCR108S, BCR108W, BCR10PN, BCR112, BCR116, BCR116W, BCR119