BCR08PN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCR08PN
Código: WFs
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: SO363
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCR08PN
BCR08PN Datasheet (PDF)
bcr08pn.pdf
BCR 08PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 08PN WFs Q62702-C2486 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maxim
bcr08pn.pdf
BCR08PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=2.2 k, R2=47 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (RoHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21
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History: BCAP58 | 2SA296 | TN2905 | 2SA1438 | TN5551R | TN3396 | BCP53-16
History: BCAP58 | 2SA296 | TN2905 | 2SA1438 | TN5551R | TN3396 | BCP53-16
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050