BCR08PN Todos los transistores

 

BCR08PN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCR08PN
   Código: WFs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SO363
 

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BCR08PN Datasheet (PDF)

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BCR08PN

BCR 08PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 08PN WFs Q62702-C2486 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maxim

 ..2. Size:527K  infineon
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BCR08PN

BCR08PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=2.2 k, R2=47 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (RoHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21

Otros transistores... BCP628B , BCP628C , BCP68 , BCP68T1 , BCP68T3 , BCP69 , BCP69T1 , BCP69T3 , MPSA42 , BCR108 , BCR108S , BCR108W , BCR10PN , BCR112 , BCR116 , BCR116W , BCR119 .

History: DTC123JM

 

 
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