Справочник транзисторов. BCR08PN

 

Биполярный транзистор BCR08PN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR08PN
   Маркировка: WFs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SO363
 

 Аналог (замена) для BCR08PN

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR08PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  siemens
 bcr08pn.pdf pdf_icon

BCR08PN

BCR 08PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 08PN WFs Q62702-C2486 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maxim

 ..2. Size:527K  infineon
 bcr08pn.pdf pdf_icon

BCR08PN

BCR08PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=2.2 k, R2=47 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (RoHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21

Другие транзисторы... BCP628B , BCP628C , BCP68 , BCP68T1 , BCP68T3 , BCP69 , BCP69T1 , BCP69T3 , MPSA42 , BCR108 , BCR108S , BCR108W , BCR10PN , BCR112 , BCR116 , BCR116W , BCR119 .

 

 
Back to Top

 


 
.