BCR08PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR08PN

Маркировка: WFs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SO363

 Аналоги (замена) для BCR08PN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR08PN даташит

 ..1. Size:63K  siemens
 bcr08pn.pdf pdf_icon

BCR08PN

BCR 08PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 08PN WFs Q62702-C2486 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maxim

 ..2. Size:527K  infineon
 bcr08pn.pdf pdf_icon

BCR08PN

BCR08PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=2.2 k , R2=47 k ) C1 B2 E2 6 5 4 Pb-free (RoHS compliant) package R2 Qualified according AEC Q101 R1 TR2 TR1 R1 R2 1

Другие транзисторы: BCP628B, BCP628C, BCP68, BCP68T1, BCP68T3, BCP69, BCP69T1, BCP69T3, TIP120, BCR108, BCR108S, BCR108W, BCR10PN, BCR112, BCR116, BCR116W, BCR119