BCR35PN Todos los transistores

 

BCR35PN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCR35PN
   Código: WU_WUs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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BCR35PN Datasheet (PDF)

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BCR35PN

BCR 35PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k, R2=47k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 35PN WUs Q62702-C2495 1=E1 2=B1 3=C2 4= E2 5=B2 6= C1 SOT-363Maxim

 ..2. Size:528K  infineon
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BCR35PN

BCR35PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k, R2=47 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (ROHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21

Otros transistores... BCR191S , BCR192 , BCR196 , BCR196W , BCR198 , BCR198S , BCR198W , BCR22PN , 2N2222A , BCR48PN , BCR503 , BCR505 , BCR512 , BCR519 , BCR521 , BCR523 , BCR533 .

History: BF187 | HMBT5401 | NSD106 | 2SC4462 | 2SC3324 | CSA988E | H2682

 

 
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