BCR35PN Todos los transistores

 

BCR35PN Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCR35PN

Código: WU_WUs

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT-363

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BCR35PN datasheet

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BCR35PN

BCR 35PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 35PN WUs Q62702-C2495 1=E1 2=B1 3=C2 4= E2 5=B2 6= C1 SOT-363 Maxim

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BCR35PN

BCR35PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k , R2=47 k ) C1 B2 E2 6 5 4 Pb-free (ROHS compliant) package R2 Qualified according AEC Q101 R1 TR2 TR1 R1 R2 1

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