BCR35PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR35PN

Маркировка: WU_WUs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для BCR35PN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR35PN даташит

 ..1. Size:62K  siemens
 bcr35pn.pdf pdf_icon

BCR35PN

BCR 35PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 35PN WUs Q62702-C2495 1=E1 2=B1 3=C2 4= E2 5=B2 6= C1 SOT-363 Maxim

 ..2. Size:528K  infineon
 bcr35pn.pdf pdf_icon

BCR35PN

BCR35PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k , R2=47 k ) C1 B2 E2 6 5 4 Pb-free (ROHS compliant) package R2 Qualified according AEC Q101 R1 TR2 TR1 R1 R2 1

Другие транзисторы: BCR191S, BCR192, BCR196, BCR196W, BCR198, BCR198S, BCR198W, BCR22PN, 2SC1815, BCR48PN, BCR503, BCR505, BCR512, BCR519, BCR521, BCR523, BCR533