BCR583 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCR583

Código: XMs

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT23

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BCR583 datasheet

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BCR583

BCR 583 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k ,R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 583 XMs Q62702-C2385 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage

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BCR583

BCR583 PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 10 k , R2= 10 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package1) 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07183 Type Marking Pin Configuration Package BCR583 XMs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage V

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