BCR583 Todos los transistores

 

BCR583 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCR583
   Código: XMs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BCR583 Datasheet (PDF)

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BCR583

BCR 583PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k,R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 583 XMs Q62702-C2385 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage

 ..2. Size:136K  infineon
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BCR583

BCR583PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 10 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1)1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR583 XMs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V

Otros transistores... BCR523 , BCR533 , BCR553 , BCR555 , BCR562 , BCR569 , BCR571 , BCR573 , A1013 , BCV26 , BCV27 , BCV28 , BCV29 , BCV46 , BCV47 , BCV48 , BCV49 .

 

 
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