Справочник транзисторов. BCR583

 

Биполярный транзистор BCR583 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR583
   Маркировка: XMs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCR583

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR583 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr583.pdf pdf_icon

BCR583

BCR 583PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k,R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 583 XMs Q62702-C2385 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage

 ..2. Size:136K  infineon
 bcr583.pdf pdf_icon

BCR583

BCR583PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 10 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1)1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR583 XMs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V

Другие транзисторы... BCR523 , BCR533 , BCR553 , BCR555 , BCR562 , BCR569 , BCR571 , BCR573 , A1013 , BCV26 , BCV27 , BCV28 , BCV29 , BCV46 , BCV47 , BCV48 , BCV49 .

 

 
Back to Top

 


 
.