BCW81R Todos los transistores

 

BCW81R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCW81R
   Código: K31
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 420
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BCW81R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  philips
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BCW81R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088BCW81NPN general purpose transistor1997 Apr 02Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCW81FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 ba

 9.2. Size:202K  cdil
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BCW81R

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCW81SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingBCW81 = K3Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCB0 max. 50 VCollectoremitter voltage (open base) V

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History: GF137 | BCP54-10T3 | TK70A | MA393C | BLY37 | 2SB338H | RN1109ACT

 

 
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