BCW81R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCW81R

Código: K31

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 420

Encapsulados: SOT23

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BCW81R datasheet

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BCW81R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 BCW81 NPN general purpose transistor 1997 Apr 02 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BCW81 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 ba

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BCW81R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW81 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N P N transistors Marking BCW81 = K3 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCB0 max. 50 V Collector emitter voltage (open base) V

Otros transistores... BCW79-10, BCW79-16, BCW79-25, BCW80, BCW80-10, BCW80-16, BCW80-25, BCW81, TIP3055, BCW82, BCW82A, BCW82B, BCW83, BCW83A, BCW83B, BCW83C, BCW84