Справочник транзисторов. BCW81R

 

Биполярный транзистор BCW81R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW81R
   Маркировка: K31
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCW81R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW81R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  philips
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088BCW81NPN general purpose transistor1997 Apr 02Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCW81FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 ba

 9.2. Size:202K  cdil
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81R

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCW81SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingBCW81 = K3Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCB0 max. 50 VCollectoremitter voltage (open base) V

Другие транзисторы... BCW79-10 , BCW79-16 , BCW79-25 , BCW80 , BCW80-10 , BCW80-16 , BCW80-25 , BCW81 , 13009 , BCW82 , BCW82A , BCW82B , BCW83 , BCW83A , BCW83B , BCW83C , BCW84 .

History: TN2218 | 2SB1053 | KSA473O | 2SC226 | KSC2752R | 2SC125 | NR461HF

 

 
Back to Top

 


 
.