BCW81R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW81R

Маркировка: K31

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW81R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW81R даташит

 9.1. Size:50K  philips
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 BCW81 NPN general purpose transistor 1997 Apr 02 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor BCW81 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 ba

 9.2. Size:202K  cdil
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81R

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW81 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N P N transistors Marking BCW81 = K3 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCB0 max. 50 V Collector emitter voltage (open base) V

Другие транзисторы: BCW79-10, BCW79-16, BCW79-25, BCW80, BCW80-10, BCW80-16, BCW80-25, BCW81, TIP3055, BCW82, BCW82A, BCW82B, BCW83, BCW83A, BCW83B, BCW83C, BCW84