BD112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO3
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BD112 datasheet
bd112.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD112 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for g
Otros transistores... BD109-16 , BD109-6 , BD109A , BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , 2222A , BD113 , BD115 , BD116 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 .
History: 2N158A | 2SA1048LG | NTE306 | 2N5180 | 2SC3254R | 2SD794O
History: 2N158A | 2SA1048LG | NTE306 | 2N5180 | 2SC3254R | 2SD794O
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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