Справочник транзисторов. BD112

 

Биполярный транзистор BD112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BD112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
 bd112.pdf pdf_icon

BD112

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD112DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for g

Другие транзисторы... BD109-16 , BD109-6 , BD109A , BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , SS8050 , BD113 , BD115 , BD116 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 .

 

 
Back to Top

 


 
.