BD112 - описание и поиск аналогов

 

BD112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD112

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD112 даташит

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
 bd112.pdf pdf_icon

BD112

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD112 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for g

Другие транзисторы: BD109-16, BD109-6, BD109A, BD109B, BD109C, BD109D, BD111, BD111A, 2222A, BD113, BD115, BD116, BD117, BD118, BD119, BD120, BD121

 

 

 

 

↑ Back to Top
.