Справочник транзисторов. BD112

 

Биполярный транзистор BD112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
 bd112.pdf pdf_icon

BD112

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD112DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for g

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | BFR71 | 41501 | 40968 | MRF342 | MRF9411BLT3

 

 
Back to Top

 


 
.