BD115 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD115
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
Tensión colector-base (Vcb): 245 V
Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 22
Encapsulados: TO39
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BD115 datasheet
bd115.pdf
BD115 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 180V dia. IC = 0.15A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1
bd115.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR BD115 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage VCEO 180 V Collector Emitter Voltage (RBE
Otros transistores... BD109A , BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , NJW0281G , BD116 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 .
History: 2N1890 | ECG159P | 2SC5025R
History: 2N1890 | ECG159P | 2SC5025R
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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