BD115 Todos los transistores

 

BD115 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD115
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 245 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 22
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BD115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
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BD115

BD115Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 180V dia.IC = 0.15A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

 ..2. Size:234K  cdil
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BD115

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR BD115TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 180 VCollector Emitter Voltage (RBE

Otros transistores... BD109A , BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , D965 , BD116 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 .

History: 2N791

 

 
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