BD115 Todos los transistores

 

BD115 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD115
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 245 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 22
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
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BD115

BD115Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 180V dia.IC = 0.15A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

 ..2. Size:234K  cdil
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BD115

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR BD115TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 180 VCollector Emitter Voltage (RBE

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC812 | MPS2484 | ZTX614 | BF321 | 2SC889 | BD120 | ECH8503-TL-H

 

 
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