Справочник транзисторов. BD115

 

Биполярный транзистор BD115 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD115
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 245 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 22
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
 bd115.pdf pdf_icon

BD115

BD115Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 180V dia.IC = 0.15A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

 ..2. Size:234K  cdil
 bd115.pdf pdf_icon

BD115

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR BD115TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 180 VCollector Emitter Voltage (RBE

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ZTX107AM | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.