BD115 - описание и поиск аналогов

 

BD115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD115

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 245 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 22

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BD115

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD115 даташит

 ..1. Size:11K  semelab
 bd115.pdf pdf_icon

BD115

BD115 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 180V dia. IC = 0.15A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

 ..2. Size:234K  cdil
 bd115.pdf pdf_icon

BD115

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR BD115 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS Collector Emitter Voltage VCEO 180 V Collector Emitter Voltage (RBE

Другие транзисторы: BD109A, BD109B, BD109C, BD109D, BD111, BD111A, BD112, BD113, NJW0281G, BD116, BD117, BD118, BD119, BD120, BD121, BD123, BD124

 

 

 

 

↑ Back to Top
.