BD116 Todos los transistores

 

BD116 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD116
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BD116

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BD116 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  inchange semiconductor
bd116.pdf pdf_icon

BD116

INCHAisc Silicon NPN Power Transistor BD116DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for RF power and gener

Otros transistores... BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , BD115 , NJW0281G , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 , BD124A .

History: FX107B | 2SB1124T | MT3S07T | BFP183T | ME6102 | STC201F | BD244F

 

 
Back to Top

 


 
.