BD116 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD116
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BD116
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD116 datasheet
bd116.pdf
INCHA isc Silicon NPN Power Transistor BD116 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 2A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for RF power and gener
Otros transistores... BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , BD115 , D965 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 , BD124A .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649