BD116 - описание и поиск аналогов

 

BD116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD116

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD116 даташит

 ..1. Size:178K  inchange semiconductor
 bd116.pdf pdf_icon

BD116

INCHA isc Silicon NPN Power Transistor BD116 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 2A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for RF power and gener

Другие транзисторы: BD109B, BD109C, BD109D, BD111, BD111A, BD112, BD113, BD115, D965, BD117, BD118, BD119, BD120, BD121, BD123, BD124, BD124A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.