Справочник транзисторов. BD116

 

Биполярный транзистор BD116 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD116
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BD116

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD116 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  inchange semiconductor
 bd116.pdf pdf_icon

BD116

INCHAisc Silicon NPN Power Transistor BD116DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 2ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for RF power and gener

Другие транзисторы... BD109B , BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , BD115 , NJW0281G , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 , BD124A .

History: BD196 | 2SC3540 | 2N785

 

 
Back to Top

 


 
.