BD117 Todos los transistores

 

BD117 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD117
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd117.pdf pdf_icon

BD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD117DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 3ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for g

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: MMBTSA1504O | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | ZTX503M | CPH5520 | 2SC1727

 

 
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