BD117 Todos los transistores

 

BD117 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD117
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
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BD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD117DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 3ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for g

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History: 2SC3569 | BF258 | 2SC4444 | ET710

 

 
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