BD117 Todos los transistores

 

BD117 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD117

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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BD117 datasheet

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd117.pdf pdf_icon

BD117

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD117 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 3A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for g

Otros transistores... BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , BD115 , BD116 , 2SD669A , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 , BD124A , BD127 .

History: A747A | BD123 | 2SC3299O | BD119

 

 

 

 

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