BD117 - описание и поиск аналогов

 

BD117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD117

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD117

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD117 даташит

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd117.pdf pdf_icon

BD117

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD117 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 3A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for g

Другие транзисторы: BD109C, BD109D, BD111, BD111A, BD112, BD113, BD115, BD116, 2SD669A, BD118, BD119, BD120, BD121, BD123, BD124, BD124A, BD127

 

 

 

 

↑ Back to Top
.