Справочник транзисторов. BD117

 

Биполярный транзистор BD117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD117
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BD117

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd117.pdf pdf_icon

BD117

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD117DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.6V(Max)@ I = 3ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for g

Другие транзисторы... BD109C , BD109D , BD111 , BD111A , BD112 , BD113 , BD115 , BD116 , TIP2955 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BD123 , BD124 , BD124A , BD127 .

History: 2SC3569 | BF258 | 2SC4444 | ET710

 

 
Back to Top

 


 
.