BD123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BD123
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 90 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD123

BD123 Datasheet (PDF)

0.1. Size:939K semikron
skm200gbd123d1s.pdf

SEMITRANS MAbsolute Maximum Ratings ValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1) UnitsV 1200 VCESSKM 200 GBD 123 D 1SV R = 20 k 1200 VCGR GEI T = 25/80 C 200 / 180 AC caseI Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 400 / 360 ACMVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 1380 WT , (T ) 40 . . .+150 (125) Cj stgVisol AC, 1 min. 2 500 7) Vhumidity DIN 40 040 Class Fc

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC3671C | HN2C26FS | FC113

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050