BD123 Todos los transistores

 

BD123 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD123

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 45 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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BD123 datasheet

 0.1. Size:939K  semikron
 skm200gbd123d1s.pdf pdf_icon

BD123

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units V 1200 V CES SKM 200 GBD 123 D 1S V R = 20 k 1200 V CGR GE I T = 25/80 C 200 / 180 A C case I Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 400 / 360 A CM VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1380 W T , (T ) 40 . . .+150 (125) C j stg Visol AC, 1 min. 2 500 7) V humidity DIN 40 040 Class F c

Otros transistores... BD113 , BD115 , BD116 , BD117 , BD118 , BD119 , BD120 , BD121 , BC556 , BD124 , BD124A , BD127 , BD128 , BD129 , BD130 , BD130Y , BD131 .

 

 

 

 

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