BD123 - описание и поиск аналогов

 

BD123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD123 даташит

 0.1. Size:939K  semikron
 skm200gbd123d1s.pdf pdf_icon

BD123

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units V 1200 V CES SKM 200 GBD 123 D 1S V R = 20 k 1200 V CGR GE I T = 25/80 C 200 / 180 A C case I Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 400 / 360 A CM VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1380 W T , (T ) 40 . . .+150 (125) C j stg Visol AC, 1 min. 2 500 7) V humidity DIN 40 040 Class F c

Другие транзисторы: BD113, BD115, BD116, BD117, BD118, BD119, BD120, BD121, BC556, BD124, BD124A, BD127, BD128, BD129, BD130, BD130Y, BD131

 

 

 

 

↑ Back to Top
.