BD141 Todos los transistores

 

BD141 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD141

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BD141 datasheet

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
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BD141

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD141 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 4A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for

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