BD141 Todos los transistores

 

BD141 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD141
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD141 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
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BD141

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD141DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0V(Max)@ I = 4ACE(sat CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for

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History: 2N3860A

 

 
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