BD141 - описание и поиск аналогов

 

BD141. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD141

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD141

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD141 даташит

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
 bd141.pdf pdf_icon

BD141

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD141 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 4A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for

Другие транзисторы: BD139-16, BD139-6, BD139G, BD140, BD140-10, BD140-16, BD140-6, BD140G, BD140, BD142, BD142-4, BD142-5, BD142-6, BD142-7, BD144, BD145, BD148

 

 

 

 

↑ Back to Top
.