BD162 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD162
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO3
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BD162 datasheet
bd162.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD162 DESCRIPTION Continuous Collector Current -I = 4A C Excellent Safe Operating Area Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
Otros transistores... BD1550 , BD156 , BD1560 , BD157 , BD158 , BD159 , BD160 , BD161 , 8550 , BD163 , BD165 , BD166 , BD167 , BD168 , BD169 , BD170 , BD171 .
History: MP1555A | 2SC309
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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