BD162. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BD162
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD162 даташит
bd162.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD162 DESCRIPTION Continuous Collector Current -I = 4A C Excellent Safe Operating Area Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
Другие транзисторы: BD1550, BD156, BD1560, BD157, BD158, BD159, BD160, BD161, 8550, BD163, BD165, BD166, BD167, BD168, BD169, BD170, BD171
History: 2N5113 | 2SD215F | 2SC519A | 2SC4746 | FTD1304 | MP1556 | BC417VI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630
