BD162 - описание и поиск аналогов

 

BD162. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD162

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD162

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD162 даташит

 ..1. Size:184K  inchange semiconductor
bd162.pdfpdf_icon

BD162

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD162 DESCRIPTION Continuous Collector Current -I = 4A C Excellent Safe Operating Area Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие транзисторы: BD1550, BD156, BD1560, BD157, BD158, BD159, BD160, BD161, 8550, BD163, BD165, BD166, BD167, BD168, BD169, BD170, BD171

 

 

 

 

↑ Back to Top
.