BD214B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD214B 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TOP3
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BD214B datasheet
bd214.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD214 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARA
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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