BD226 Todos los transistores

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BD226 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD226

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO126

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BD226 Datasheet (PDF)

1.1. bd226 228 230.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

BD226
BD226

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD226/228/230 DESCRIPTION ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.15A ·Complement to Type BD227/229/231 APPLICATIONS ·Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD226 45 VCBO Collector-Base Voltage BD228 60 V BD230

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