BD229 Todos los transistores

 

BD229 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD229
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD229 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  inchange semiconductor
 bd227 bd229 bd231.pdf pdf_icon

BD229

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V

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History: T1396

 

 
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