BD229 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD229
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO126
- Selección de transistores por parámetros
BD229 Datasheet (PDF)
bd227 bd229 bd231.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SC1384L | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | DRC5A43Z | TN3866
History: 2SC1384L | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | DRC5A43Z | TN3866



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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