BD229 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD229  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD229

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD229 даташит

 ..1. Size:754K  no
 bd220 bd221 bd222 bd223 bd224 bd225 bd226 bd227 bd228 bd229.pdf pdf_icon

BD229

 ..2. Size:142K  inchange semiconductor
 bd227 bd229 bd231.pdf pdf_icon

BD229

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V

Другие транзисторы: BD227, BD227-10, BD227-16, BD227-6, BD228, BD228-10, BD228-16, BD228-6, 2SB817, BD229-10, BD229-16, BD229-6, BD230, BD230-10, BD230-16, BD230-6, BD231